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CY-AR3000BG-T 4電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

CY-O1200X-Φ50-100×100-V-T是一款小型的1100℃Bridgman晶體生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。布里奇曼晶體生長爐通常采用管式結(jié)構(gòu)，為３個區(qū)域（加熱區(qū)、梯度區(qū)和冷卻區(qū)）。

本產(chǎn)品是一款小型的1100℃布里奇曼碳化硅晶體生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。布里奇曼晶體生長爐用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下生長小尺寸的晶體。

CY-01200BG-Φ60-100×100-V-T 是一款小型經(jīng)濟型的最高1100℃小型布里奇曼晶體生長爐，配有2英寸的石英管，精密提拉機。用于在氣氛保護環(huán)境下或密封石英坩堝環(huán)境下低成本生產(chǎn)生長小尺寸的晶體。

CY-01500BG-Φ80-100×100-V-T是一款1500℃布里奇曼定向凝固晶體生長爐，針對于多晶錠的定向凝固（最大直徑25mm）。加熱模塊& 轉(zhuǎn)速可調(diào)的冷卻風扇有益在熔融態(tài)/結(jié)晶態(tài)界面處創(chuàng)造大的溫度梯度。電動坩堝放置系統(tǒng)，便于方便放樣和取樣。可選購旋轉(zhuǎn)樣品臺進行單晶錠的生長。

1600℃ TSSG法晶體生長爐是一款頂部籽晶法晶體生長爐，可利用助溶劑法生長各種材料單晶。箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，以MoSi2為加熱元件，其腔體尺寸為φ330mm×250mm(H)，*高溫度可達1700℃。